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“游戏机存储器MB85RS256BPNF-G-JNERE1”参数说明
| 功能结构： | 数/模混合集成电路 | 封装： | SMD |
| 制作工艺： | 半导体集成电路 | 导电类型： | 双极型 |
| 外形： | 扁平型 | 集成度高低： | 大规模集成电路 |
| 应用领域： | 标准通用 | 型号： | MB85RS256BPNF-G-JNER |
“游戏机存储器MB85RS256BPNF-G-JNERE1”详细介绍
MB85RS256BPNF-G-JNER是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行（I2C和SPI）和并行外设的FRAM产品，目前4Kb至4Mb的产品也已量产。
MB85RS256BPNF-G-JNER的优势
与传统存储器相比，FRAM具有下列优势：
非易失性
即使没有上电，也可以保存所存储的信息。
与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）
更高速度写入
像SRAM一样，可覆盖写入
不要求改写命令
对于擦/写操作，无等待时间
写入循环时间 =读取循环时间
写入时间： E2PROM的1/30,000
具有更高的读写耐久性
确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力
耐久性：超过100万次的 E2PROM
具有更低的功耗
不要求采用充电泵电路
功耗：低于1/400的E2PROM
MB85RS256BPNF-G-JNER的优势
与传统存储器相比，FRAM具有下列优势：
非易失性
即使没有上电，也可以保存所存储的信息。
与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）
更高速度写入
像SRAM一样，可覆盖写入
不要求改写命令
对于擦/写操作，无等待时间
写入循环时间 =读取循环时间
写入时间： E2PROM的1/30,000
具有更高的读写耐久性
确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力
耐久性：超过100万次的 E2PROM
具有更低的功耗
不要求采用充电泵电路
功耗：低于1/400的E2PROM
