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“供应SGLUX紫外光电二极管SG01D系列”参数说明
| 工作波长： | 221-358nm | 针脚数： | 2.0 |
| 种类： | SG01D-18 | 封装形式： | 其他 |
| 发光颜色： | 其他 | 型号： | SG01D-18 |
| 商标： | SGLUX |
“供应SGLUX紫外光电二极管SG01D系列”详细介绍
特性：
1. 采用碳化硅（SiC）材料
2. 宽频段（UVA+UVB+UVC）
3. 有效探测区域0.5mm2（SG01D-51LENS敏感区域为11.0mm2，适合探测火焰）
4. 10uW/cm2峰值辐射照度产生约65nA电流，（10uW/cm2峰值SG01D-51LENS约350nA.
5. 芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）
关于碳化硅材料（SiC）：
SiC可承受极端辐射硬度，近乎完美的可见盲区，低暗电流，高速响应和低噪音的独特属性；这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以永久工作在高达170℃的温度中，信号（响应率）的温度系数也很低，<0.1%/K。由于（fA级别的暗电流）噪音低，很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量，（需要适当的放大器）。
SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器，提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。
技术参数:
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型号 |
SG01D-18 |
SG01D-5LENS |
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响应率 |
0.13A/W |
0.13A/W |
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波长典型值 |
280nm |
280nm |
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波长范围（S=0.1*Smax） |
221-358nm |
221-358nm |
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可见盲区（Smax/S>405nm） |
>1010 |
>1010 |
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有效探测区域 |
0.5mm2 |
0.5mm2（芯片尺寸）11.0mm2(辐射敏感区域) |
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暗电流（1V反向偏压） |
1.7fA |
1.7fA |
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电容 |
125pF |
125pF |
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短路电流（10uW/cm2峰值辐射照度） |
约65nA |
约350nA |
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温度系数 |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
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操作温度 |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
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储存温度 |
-55～+170℃ |
-55～+170℃ |
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焊接温度（3S） |
260℃ |
260℃ |
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反向电压VRmax |
20V |
20V |
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物理特性 |
采用T018金属外壳密封，1针脚绝缘，1针脚接地 |
内置聚光镜，采用T05金属外壳密封，1针脚绝缘，1针脚接地 |
