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“英飞凌原装SPW20N60C3, Infineon正品批发, 全新原装MOSFET”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | RoHS |
| 品牌： | 英飞凌 | 类型： | 增强型MOS管(N沟道) |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | 导电方式： | 增强型 |
| 型号： | Spw20n60c3 | 规格： | 650V |
| 商标： | Infineon | 包装： | 240PCS/盒 |
“英飞凌原装SPW20N60C3, Infineon正品批发, 全新原装MOSFET”详细介绍
- 品牌: INFINEON/英飞凌
- 型号: SPW20N60C3
- 种类: 绝缘栅(MOSFET)
- 沟道类型: N沟道
- 导电方式: 增强型
- 用途: SW-REG/开关电源
- 封装外形: P-DIT/塑料双列直插
- 材料: N-FET硅N沟道
本店主营进口全新原装正品 假一罚十
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英飞凌正品SPW20N60C3
基本信息
中文名称
SPW20N60C3
封装类型
TO-247
功 耗
208W
晶体管极性
N沟道
SPW20N60C3，采用TO-247 封装方式。
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:20.7A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):0.19ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:3V
功耗:208W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:208W
封装类型:TO-247
总功率, Ptot:208W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:650V
电流, Idm 脉冲:62.1A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
阈值电压, Vgs th 最高:3.9V
所属类别:半导体二极管
产品:General Purpose MOSFETs
晶体管极性:N-Channel
电阻基极/源极 RDS(导通):0.19 Ohm @ 10 V
基极/源极击穿电压:650 V
漏极连续电流: 20.7 A
功率耗散:208000 mW
闸/源击穿电压:20 V
封装/箱体:TO-247
封装:Tube
