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“放大器集成电路（FDD8424HTR）”参数说明
| 型号： | FDD8424HTR | 产量： | 258000 |
“放大器集成电路（FDD8424HTR）”详细介绍
标准包装2，500
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs-阵列
系列：PowerTrench®
FET型：N和P沟道
FET特点逻辑电平门
开态Rds（最大）＠Id，Vgs＠25°C 24毫欧＠9A，10V
漏极至源极电压（Vdss）40V
Id时的Vgs（th）（最大）3V＠250µA
闸电荷（Qg）＠Vgs 20nC＠10V
电流-连续漏极（Id）＠25°C 9A，6.5A
在Vds时的输入电容（Ciss）1000pF＠20V
功率-最大1.3W
安装类型表面贴装
封装／外壳DPak，TO-252（4引线＋接片）
包装带卷（TR）。
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs-阵列
系列：PowerTrench®
FET型：N和P沟道
FET特点逻辑电平门
开态Rds（最大）＠Id，Vgs＠25°C 24毫欧＠9A，10V
漏极至源极电压（Vdss）40V
Id时的Vgs（th）（最大）3V＠250µA
闸电荷（Qg）＠Vgs 20nC＠10V
电流-连续漏极（Id）＠25°C 9A，6.5A
在Vds时的输入电容（Ciss）1000pF＠20V
功率-最大1.3W
安装类型表面贴装
封装／外壳DPak，TO-252（4引线＋接片）
包装带卷（TR）。
